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    最近，Technavio發(fā)布報(bào)告，表示在疫情影響下，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度可能不如先前預(yù)期。
顧名思義，化合物半導(dǎo)體是由兩種或多種元素組成的半導(dǎo)體?？赡艿慕M合范圍很廣，可以形成二元(兩種元素)、三元(三種元素)和四元(四種元素)化合物。與硅相比，化合物半導(dǎo)體具有獨(dú)特的材料特性，如直接能帶隙、高擊穿電場(chǎng)和高電子遷移率，從而實(shí)現(xiàn)光子、高速和高功率器件技術(shù)?；衔锇雽?dǎo)體中的電子比硅中的電子移動(dòng)得快得多，使得處理速度快100多倍。
    根據(jù)Technavio的數(shù)據(jù)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)擴(kuò)容115.3億美元，2021年至2025年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)測(cè)為6.33%。這個(gè)數(shù)字比疫情前的預(yù)估跌落數(shù)個(gè)百分點(diǎn)。根據(jù)該分析公司的研究，由于新冠疫情并未受到完全抑制，半導(dǎo)體行業(yè)受到的影響喜憂參半。
    這份報(bào)告長(zhǎng)達(dá)120頁(yè)，按最終用戶(hù)及地理位置，對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)行了分類(lèi)討論。其中，類(lèi)別囊括了消費(fèi)電子、通信、國(guó)防和航空航天、汽車(chē)和其他；半導(dǎo)體類(lèi)型則被分為GaAs、氮化鎵、碳化硅和其他；地區(qū)市場(chǎng)則包括亞太、北美、歐洲、南美和多邊環(huán)境協(xié)議市場(chǎng)。
    報(bào)告稱(chēng)，消費(fèi)電子領(lǐng)域半導(dǎo)體市場(chǎng)份額增長(zhǎng)顯著。在預(yù)測(cè)期內(nèi)，未來(lái)化合物半導(dǎo)體有72%的市場(chǎng)增長(zhǎng)空間，將來(lái)自亞太地區(qū)。其中，中國(guó)、日本和韓國(guó)將是主要的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。亞太地區(qū)的增長(zhǎng)率一直很高，預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)，將為市場(chǎng)部件供應(yīng)商們提供數(shù)個(gè)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。尤其是智能手機(jī)普及應(yīng)用率快速上升，被認(rèn)為是在預(yù)測(cè)期內(nèi)推動(dòng)亞太地區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要因素之一。
    報(bào)告總結(jié)稱(chēng)，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)主要由如下三個(gè)因素驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)：首先是，市場(chǎng)終端對(duì)增強(qiáng)功率密度的需求不斷增加；其次在應(yīng)用方面，全球智能手機(jī)的普及率上升明顯；第三，市場(chǎng)對(duì)寬帶隙功率器件的需求不斷增長(zhǎng)。
通過(guò)這個(gè)數(shù)據(jù)，元器件制造企業(yè)可以做出有效的資源分配及投資策略，并建立具有韌性的生產(chǎn)供應(yīng)鏈。主要供應(yīng)化合物半導(dǎo)體的知名制造商有：
    博通
    博通公司在半導(dǎo)體解決方案和基礎(chǔ)設(shè)施軟件領(lǐng)域經(jīng)營(yíng)其業(yè)務(wù)。該公司為光通信系統(tǒng)提供砷化鎵(GaAs)激光器和光電探測(cè)器，是4、10和12通道垂直腔面發(fā)射激光器和個(gè)人識(shí)別碼陣列的主要供應(yīng)商。
    Cree Inc.
    Cree Inc.的主要業(yè)務(wù)分為兩個(gè)部分——Wolfspeed和LED產(chǎn)品。產(chǎn)品方面在碳化硅襯底上提供氮化鎵、鋁鎵銀和鋁釔銀外延層。該公司正利用業(yè)界最廣泛的碳化硅和氮化鎵材料推動(dòng)創(chuàng)新。
    英飛凌
    英飛凌在汽車(chē)、工業(yè)電源控制、電源和傳感器系統(tǒng)、互聯(lián)安全系統(tǒng)和其他領(lǐng)域開(kāi)展業(yè)務(wù)。該公司提供n溝道和p溝道功率MOSFETs，其設(shè)計(jì)獨(dú)特，旨在帶來(lái)更高的效率、功率密度和成本效益。
    此外，研究機(jī)構(gòu)Yole也公布了2020-2026年部分化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。Yole表示，GaN射頻器件市場(chǎng)，復(fù)合增長(zhǎng)率為18%，從2020年的8.91億美元增長(zhǎng)到2026年的24億美元；GaN-on-SiC正以17%的CAGR增長(zhǎng)率，從3.42億美元增長(zhǎng)到22.22億美元，但GaN-on-Si的增幅將更猛，預(yù)計(jì)在2020–2026年間以86%的速度增長(zhǎng)，從500萬(wàn)美元增長(zhǎng)到1.73億美元。（來(lái)源：搜芯易）